编组 6 编组 3备份 形状

OB5518

描述

OB5518是一集成高压工艺与数模混合技术的主控芯片,具备快速的单周期8051内核,8KB MTP256B SRAMMCS-51指令设置。片内集成有DC RegulatorADCMOSFET等模拟模块,可直接驱动10个继电器或可控硅,芯片能操作在系统电源12V以下。

 

特征

l  指令设置兼容 MCS-51

l  8KB字节的片上可编程存储器中程序存储器

l  256字节的标准的8052 RAM

l  16-bit 数据指针 (DPTR0&DPTR1)

l  416-bit 的定时器/计数器(计时器0,1,2, 3

l  最多6 GPIO

l  外部中断源: INTx 1

l  I2C x 1

l  UART x 1

l  可编程的看门狗定时器(WDT

l  312位模拟数字转换(ADC

l  片上闪存存储器支持ICPEEPROM 功能

l  低电压中断LVI/低电压复位LVR

l  电源管理单元空闲及掉电模式

l  支持在线仿真(OCD)功能

l  高速1T架构,最高可达8MHz

l   高压模拟单元

n   输入电压: 7.5V~12V

n   集成5VLDO,输出电压: 5V ±2%@25°C. ±4%@ -40°C~85°C; 最大输出电流: 200mA

n   集成10 开漏端口, 80mA灌电流能力,内建续流二极管

l   封装型态: 20-SOP


 

系统应用图

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