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昂宝电子推出高频QR氮化镓直驱方案OB2736

昂宝电子 2021-06-17 11:18:25

摘要:随着智能手机电池容量的日益增大, 充电器的设计功率正在快速发生变化, 提高充电器的功率密度及维持其便携性变成设计挑战之一,昂宝电子于近期推出了高频QR驱动器方案OB2730/36系列,采用低成本SOP8封装,内置高压启动,外围精简,支持最高300KHz的开关频率,大幅度的减小充电器体积,并最大程度平衡BOM成本。


关键词:高频QR,直驱GaN FET,谷底锁定,多工作模式切换

 

随着智能手机电池容量的日益增大, 充电器的设计功率正在快速发生变化,早期的18W/20W快充已经变成低端机的标配,而主流旗舰机型的标配充电器功率已经达到66W甚至超过100W,提高充电器的功率密度及维持其便携性变成设计挑战之一,昂宝电子为满足这一市场需求,于近期推出了高频QR驱动器方案OB2730/36系列,采用低成本SOP8封装,内置高压启动,外围精简,支持最高300KHz的开关频率,可帮助工程师大幅度的减小充电器体积,并最大程度平衡BOM成本。

 

其中OB2736 GATE电平钳位在5.5V,用于直驱氮化镓GaN功率管,而OB2730则用于驱动传统的Cool MOS功率管,两个版本给用户提供更大的设计弹性去满足不同产品的市场定位。其IC内核集成了昂宝核心的锁谷底专利技术,频谱扩展专利技术,多模式自动切换专利技术,能帮助工程师朋友最大程度的优化效率,抑制异音及电磁干扰,同时提供完善的自恢复保护功能,包括OCP/OVP/SCP/OLP/OTP及AC端的UVP,全面保障系统的可靠性,采用OB2730/36设计的65W标准演示版已经发布,具体请联系昂宝当地销售人员及授权代理商获取详细信息。


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