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OB6617P是一款高集成、高性能、低成本的3相直流无刷电机(BLDC)或永磁同步电机(PMSM)控制芯片,只需要少量的外围器件即可搭建完整的磁场定向控制(FOC)电路。
OB6617P集成了32bit ARM Cortex-M0 MCU ,3相半桥驱动器,高精度5V稳压电源,3组高带宽/高摆率/轨到轨运算放大器,3组高速通用比较器,2组电机驱动电流保护比较器。MCU工作主频可以达到50Mhz,提供32kB FLASH和4kB SRAM,集成了坐标旋转数字计算机(Cordic)和乘法除法单元(MDU),专为电机控制优化了脉宽调制(PWM),运算放大器(Amplifier),模拟比较器(Comparator),模拟数字采样器(ADC),和不同模块间联动,易于开发高性能算法。
OB6617P提供完整芯片保护和外部电机驱动电流保护,包括芯片工作电源欠压保护、过压保护,高压侧驱动器电源欠压保护,过温保护,桥臂防直通保护;驱动电路内置死区;电机驱动过流保护、短路保护等。
ARM Cortex-M0内核
工作主频50MHz ,内置嵌套向量中断控制器(NVIC)
宽工作电压范围:1.8V至5.5V
片上闪存编程存储器32KB;4KB SRAM
20个外部GPIO
2组32bit定时器/计数器;2组16bit定时器/计数器
8通道16bit PWM
11通道12bit ADC
3组8MHz,10V/us 运算放大器
3组通用比较器,2组电流比较器
串行在线调试(SWD)
坐标旋转数字计算机(Cordic)
乘除法单元(MDU)
三相全桥驱动器
三路自举高压侧驱动器,三路低压侧驱动器
耐压70V
驱动电流0.5A/1.1A
同桥臂驱动器延时匹配
内置死区
内置防桥臂直通逻辑
内置工作电源欠压保护、过压保护;高压侧驱动器电源欠压保护
LDO
输出电压精度5V±2%
输出电流能力达到100mA
内置短路保护和过温保护
电机驱动电流保护
比较阈值由外部电路设定,应用灵活
保护比较器直接关断驱动器
短路保护触发MCU中断
短路保护软关断MOS,降低电压尖峰
坐标旋转数字计算机(Cordic)
乘除法单元(MDU)
订购信息
型号 | 描述 |
OB6617PGQP | LQFP48, Halogen-free in Tray |
额定封装散热
封装 | RqJA (℃/W) |
LQFP48 | 85 |
应用极限参数
符号 | 描述 | 最大值 |
VCC | VCC供电电源电压 | 20V |
VB | 高压侧驱动自举电源电压 | 70V |
HB | 高压侧驱动自举偏置电压 | 70V |
MCU_IO | MCU 数字IO口最大输入电压 | 5.5V |
备注: 芯片的实际应用条件超出规定的“应用极限值”将会对芯片造成永久性损伤。以上应用极限值标志了芯片可承受应力等级,但并不建议芯片在此极限条件或超出“推荐工作条件”下工作。芯片长时间处于最大额定工作条件,会影响芯片的可靠性。
标识信息